4H Polu{1}}Izolirajuća SiC pločica

4H Polu{1}}Izolirajuća SiC pločica

Polu-izolacione SiC podloge nude visoku otpornost i odlična termička svojstva, što ih čini pogodnim za GaN heteroepitaksijalni rast i visoko-frekventne RF poluvodičke aplikacije. Kao -SiC supstrat visokih performansi, široko se koristi za HEMT-bazirane uređaje u naprednim komunikacionim sistemima, uključujući 5G infrastrukturu. Ove polu-izolacione SiC pločice takođe pružaju odlična optička i materijalna svojstva, podržavajući nove aplikacije u optoelektronici i nosivoj elektronici kao što su potencijalne aplikacije SiC{{8} kao AR naočare i drugi napredni optički uređaji.
Share to
Pošaljite upit
Chat Sada
Opis
Tehnički parametri

 

Products Introduction

 

 

Polu-izolacione SiC podloge nude visoku otpornost i odlična termička svojstva, što ih čini pogodnim za GaN heteroepitaksijalni rast i visoko-frekventne RF poluvodičke aplikacije. Kao visoka-performansaSiC supstrat, široko se koristi za HEMT{0}}bazirane uređaje u naprednim komunikacijskim sistemima, uključujući 5G infrastrukturu.

 

Ovi polu{0}}izolacioniSiC waferstakođer pružaju odlična optička svojstva i svojstva materijala, podržavajući nove aplikacije u optoelektronici i nosivoj elektronici. 12-inčni SiC supstrati nude potencijal za sljedeće-generacije aplikacija kao što su AR naočale i drugi napredni optički uređaji.

 

 

 

Specifikacije

 

 

 

product-1-1

 

6 inča
Prečnik 150.0mm+0mm/-0.2mm
Orijentacija površine {0001}±0,2 stepena
Primarna ravna orijentacija /
Sekundarna ravna orijentacija /
Primarna ravna dužina Zarez
Sekundarna ravna dužina Nema
Notch Orientation <1100>±1,0 stepen
Dubina zareza Ništa 1mm+0.25mm/-0mm od ivice
Notch Angle 90 stepeni +5 stepen /-1 stepen
Debljina 500.0um±25.0um
Tip Polu{0}}izolacioni

 

 

 

 

 

8-inčni
Prečnik 200,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orijentacija površine {0001}±0,2 stepena
Primarna ravna orijentacija /
Sekundarna ravna orijentacija /
Primarna ravna dužina Zarez
Sekundarna ravna dužina Nema
Notch Orientation <1100>±1,0 stepen
Dubina zareza Ništa 1mm+0.25mm/-0mm od ivice
Notch Angle 90 stepeni +5 stepen /-1 stepen
Debljina 500.0um±25.0um
Tip Polu{0}}izolacioni

 

 

product-1-1

 

 

 

product-1-1
12 inča
Prečnik 300,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orijentacija površine {0001}±0,5 stepeni
Primarna ravna orijentacija /
Sekundarna ravna orijentacija /
Primarna ravna dužina Zarez
Sekundarna ravna dužina Nema
Notch Orientation <1100>±5,0 stepeni
Dubina zareza Ništa 1mm+0.25mm/-0mm od ivice
Notch Angle 90 stepeni +5 stepen /-1 stepen
Debljina 750,0um±25,0um
Tip Polu{0}}izolacioni

 

 

Certifikat

 

 

 

1







 

Popularni tagovi: 4H Polu-Izolaciona SiC pločica, Kina, dobavljači, proizvođači, fabrika, proizvedeno u Kini

Pošaljite upit
Pošaljite upit