Opis proizvoda.

Silicija Heterojunkcija Tehnologija (HJT) je bazirana na emiteru i back površinskom polju (BSF) koji se proizvode niskim temperaturnim rastom ultratanki slojevi amorfnog silicija (a-Si:H) na obje strane vrlo dobro očišćenih monokristalinih silicijumskih vafera, Debljine manje od 160 μm, gdje se fotogenerišu elektroni i rupe.

HJT solar cell structure 400 Profile2

Procesni tok.

Process flow A black

Ključne osobine!

High Eff i high Voc

Koeficijent niske temperature 5-8% dobitak izlazne snage

Bifacijale strukture

【Ključne funkcije】

Visoka efikasnost i visoki Voc

Koeficijent niske temperature 5-8% dobitak izlazne snage

Bifacijale strukture

Tehnički podaci!

TEHNIČKI PODACI I DIZAJN		KOEFICIJENTI TEMPERATURE I LEMLJIVOST
Dimenzija	166mm*166mm±0.25	TkUoc (%/K)	-0.192
Debljina	150+20 μm/-10 μm	TkIsc (%/K)	+0.035
Prednji	9×0.1mm Zavarivanje spot tip prednja elektroda	TkPMAX (%/K)	-0.236
Leđa	9×0.1mm Zavarivanje spot tip leđa elektroda	Minimum jačine ogulja	>1.4N/mm

ELEKTRIČNI PARAMETRI U STC-u
Ne.	Efikasnost (%)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Umpp (V)	Impp (A)	FF (%)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54